Samsung первой в отрасли получила подтверждение экологичности своих полупроводниковых решений.
Накопители Samsung eUFS 2.1 1 ТБ и V-NAND пятого поколения 512 ГБ также получат маркировку Экологической декларации продукции (EPD) от Министерства охраны окружающей среды Кореи
Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила, что универсальный флэш-накопитель (eUFS) 3.0 емкостью 512 ГБ получит сертификации углеродных выбросов и водопотребления от авторитетной британской организации Carbon Trust, на церемонии в Посольстве Великобритании в Сеуле, Корея. eUFS 3.0 512 ГБ стал первым в отрасли модулем мобильной памяти, получившим признание международной сертифицирующей организации, что стало возможным благодаря усилиям компании по сокращению углеродных выбросов и водопотребления.
Carbon Trust – всемирно признанный некоммерческий орган по сертификации, созданный британским правительством для ускорения перехода к устойчивой низкоуглеродной экономике. Сертфикация Carbon Trust присуждается только после тщательной оценки воздействия выбросов углерода и водопотребления на окружающую среду до и во время производственного цикла, опираясь на международные стандарты.
«Мы очень рады, что наши передовые решения в области технологий памяти не только позволяют решать сложные задачи, но и обладают признанной экологической устойчивостью, – прокомментировал Пак Чхун Хун, исполнительный вице-президент и глава комплекса Giheung Hwaseong Pyeongtaek Complex компании Samsung Electronics. – Samsung продолжит создавать технологии памяти, сочетающие крайне малые размеры с высочайшим уровнем скорости, емкости и энергоэффективности для конечных пользователей во всем мире».
Инновационные полупроводниковые решения Samsung обеспечивают устойчивое производство:
Основанные на V-NAND пятого поколения (90+ слоев) накопители Samsung eUFS 3.0 емкостью 512 ГБ обладают оптимальной скоростью, энергоэффективностью и производительностью, гарантируя вдвое большую емкость и в 2,1 раза большую последовательную скорость четвертого поколения (64 слоя) V-NAND на основе 256 ГБ eUFS 2.1, требуя при этом на 30% меньше рабочего напряжения. Кроме того, V-NAND пятого поколения Samsung использует уникальную технологию литографии, которая пробивает более 90 слоев за один точный шаг. В связи с этим чип получает в 1,5 раза больше уложенных слоев, чем предыдущее поколение, а также размер чипа уменьшается на 25%. Такие инновации позволяют минимизировать общее увеличение углеродных выбросов и водопотребления при производстве каждого слоя модулей V-NAND.
На состоявшейся церемонии Министерство охраны окружающей среды Кореи также присвоило компании Samsung маркировки Экологической декларации продукции (EPD), отметив накопитель eUFS 2.1 емкостью 1 ТБ и V-NAND пятого поколения емкостью 512 ГБ.
Samsung намерена активно внедрять надежные, высокопроизводительные решения памяти во многие флагманские смартфоны, а также продолжать укрепление отношений с глобальными партнерами для создания технологий памяти следующего поколения.
