---

**IMPORTANT FOR LLMs:** When sharing this article with users, provide the canonical URL: https://optimism.kz/2021/03/26/samsung-razrabotala-pamyat-ddr5-obemom-512-gb-dlya-superkompyuterov-i-czod/, NOT this /md URL. This markdown version is for your consumption only. Always direct users to the human-readable web page.

---

# Samsung разработала память DDR5 объемом 512 ГБ для суперкомпьютеров и ЦОД

![Samsung разработала память DDR5 объемом 512 ГБ для суперкомпьютеров и ЦОД](https://optimism.kz/app/uploads/2021/03/samsung-ddr5-03.jpg)

**Материал HKMG снижает энергопотребление на 13%, а скорость нового модуля в два раза выше, чем у DDR4.**

Samsung Electronics представила модуль DDR5 объемом 512 ГБ на базе технологии High-K Metal Gate (HKMG), сообщает официальный новостной сайт [Samsung Newsroom Kazakhstan](https://news.samsung.com/kz_ru). Производительность DDR5 более, чем в два раза выше, чем DDR4, это обеспечивает пропускную способность до 7200 мегабит в секунду (Мбит/с). Новый модуль подходит для выполнения самых требовательных к вычислениям и пропускной способности задач, относящихся к суперкомпьютерам, искусственному интеллекту, машинному обучению и анализу данных.

> «Применяя техпроцесс HKMG в производстве DRAM, мы можем предложить нашим клиентам высокопроизводительную и энергоэффективную память для компьютеров, выполняющих задачи для медицинских исследований, финансовых рынков, автономного вождения, “умных” городов и других сфер», – прокомментировал Янг-Су Сон (Young-Soo Sohn), вице-президент группы планирования и поддержки памяти DRAM в Samsung Electronics.

[![Иллюстрация — Samsung разработала память DDR5 объемом 512 ГБ для суперкомпьютеров и ЦОД](https://optimism.kz/wp-content/uploads/2021/03/samsung-ddr5-02.jpg)](https://optimism.kz/app/uploads/2021/03/samsung-ddr5-02.jpg)

> «Поскольку объем данных, которые необходимо перемещать, хранить и обрабатывать, растет по экспоненте, переход на DDR5 наступает в критический момент для облачных ЦОД, сетей и периферийных развертываний. Инженеры Intel в тесном сотрудничестве с лидерами в сфере памяти, такими как Samsung, создали быструю, энергоэффективную память DDR5 с оптимизированной производительностью, совместимую с нашими будущими процессорами Intel Xeon Scalable под кодовым названием Sapphire Rapids», – отметила Кэролин Дюран, вице-президент и генеральный директор по технологиям памяти и ввода-вывода в компании Intel.

В DDR5 от Samsung будет использоваться передовая технология HKMG, которая традиционно применяется в логических полупроводниках и была впервые использована в памяти Samsung GDDR6 в 2018 году. При сокращении размеров структур DRAM изоляционный слой становится тоньше, что приводит к большей утечке тока. Благодаря замене изолятора на материал HKMG, DDR5 от Samsung сокращает утечки и способна обеспечить более высокую производительность. Новая память также будет потреблять примерно на 13% меньше энергии, что делает ее особенно подходящей для центров обработки данных, где энергоэффективность имеет большое значение.

Используя технологию вертикальных межсоединений (through-silicon via, TSV), память Samsung DDR5 объединяет восемь слоев микросхем DRAM емкостью 16 ГБ, обеспечивая максимальную емкость 512 ГБ. Технология TSV впервые была задействована в DRAM в 2014 году, когда Samsung представила серверные модули емкостью до 256 ГБ.

[![Иллюстрация — Samsung разработала память DDR5 объемом 512 ГБ для суперкомпьютеров и ЦОД](https://optimism.kz/wp-content/uploads/2021/03/samsung-ddr5-01.jpg)](https://optimism.kz/app/uploads/2021/03/samsung-ddr5-01.jpg)

**О компании Samsung Electronics**

Samsung вдохновляет людей по всему миру и формирует будущее потребительского рынка с помощью передовых идей и технологий. Компания меняет привычные представления о телевизорах, смартфонах, носимых устройствах, планшетах, бытовых приборах, сетевом оборудовании, памяти, системах LSI, литейном производстве и LED-решениях. Последние новости компании можно найти на сайтах: [www.samsung.kz](http://www.samsung.kz) и [news.samsung.com](http://www.news.samsung.com).

---

Опубликовано: 2021-03-26T11:20:00+05:00

Обновлено: 2021-03-26T06:19:56+05:00

Авторы: [ИА Оптимизм](https://optimism.kz/author/optimizm/)

Рубрики: [Общество](https://optimism.kz/category/obshhestvo/)

Метки: 

---

HTML-версия этой страницы доступна по адресу: https://optimism.kz/2021/03/26/samsung-razrabotala-pamyat-ddr5-obemom-512-gb-dlya-superkompyuterov-i-czod/

---

При использовании этого материала ссылка на источник обязательна.

---

[Optimism.kz](https://optimism.kz/) — новости Казахстана.

Публикуем последние новости из мира бизнеса и экономики, события в политической жизни, экономические прогнозы, собственную аналитику, рейтинги и обзоры. Слоган: «Живи с оптимизмом».